東芝推出搭載高效靜電放電保護的雙MOSFET“SSM6N813R
東京--東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）已推出搭載高效靜電放電保護的雙MOSFET“SSM6N813R”，該產(chǎn)品適用于需要耐高電壓和小尺寸的汽車應用，包括LED前照燈驅(qū)動器IC。量產(chǎn)出貨將于四月啟動。.
100V的最大漏源極電壓（VDSS）可確保SSM6N813R適用于需要多個LED的前照燈應用，高抗靜電能力為此提供支持。SSM6N813R采用最新工藝制造，使用 TSOP6F封裝，具備1.5W的允許功耗和低導通電阻。此外，TSOP6F的封裝尺寸比SOP8封裝小70%。
應用場合
汽車LED前照燈驅(qū)動器
特點
小型封裝
高靜電保護等級
低RDS（ON）
主要規(guī)格
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